Intel a enfin révélé les spécifications de sa prochaine génération de SSD, dont le nom de code Postville Refresh avait déjà été aperçu à diverses occasions sur les roadmap du constructeur. Ils embarqueront de la mémoire gravée en 25nm et une nouvelle version du contrôleur.
Un nouveau contrôleur qui permet des gains relativement importants sur les performances, en particulier en écriture. Ainsi, sur la version grand public hautes performances, le X25-M, les débits en écriture séquentielle passeront de 100 Mo/s à 170 Mo/s, et les écritures aléatoires de 4 Ko passeront de 8 600 opérations par seconde à 40 000. En lecture, les débits ne bougent pas en séquentiel (250 Mo/s), mais le nombre d'accès de 4 Ko par seconde atteindra 50 000, contre 35 000 actuellement.
L'endurance de ces nouveaux SSD progresse également fortement, en passant de 7.5/15 To d'écritures aléatoires de 4 Ko à 30/60 To. Une progression sans doute aidée par le nouveau contrôleur qui disposera désormais d'un vrai cache (sur les X25-M actuels, le cache ne sert que pour stocker des structures utilisées par le contrôleur, pas pour stocker des données en attente d'écriture), accompagné d'une réserve d'énergie permettant de sauver les données du cache en cas de coupure d'alimentation électrique. Enfin, le contrôleur supporte le chiffrement en AES-128.
Du côté des SSD pour entreprise, les X25-E, qui n'ont pas changé depuis la première version, on passe de la mémoire SLC 50nm à de la eMLC 25nm. La eMLC ou "Enterprise MLC" est une mémoire de type MLC, mais plus endurante que la MLC classique. Là encore, les débits séquentiels restent inchangés en lecture (250 Mo/s), mais progressent légèrement en écriture (200 Mo/s au lieu de 170 Mo/s), tandis que le débit d'I/O 4 Ko passe de 35 000 à 50 000 en lecture et de 3 300 à 5 000 en écriture (notez que la méthode de mesure n'est pas la même que pour les X25-M, d'où les chiffres inférieurs). L'endurance reste similaire à l'ancienne version, avec 900 To à 1.4 Po, selon les modèles, contre 1 à 2 Po pour le X25-E actuel. Le X25-E bénéficiera bien entendu aussi du cache protégé contre les coupures d'alimentation et du chiffrement AES-128.
Ces nouveaux modèles auront toutefois un défaut pas rapport à leurs prédécesseurs : la consommation électrique est revue à la hausse. Le X25-M passera de 3W en charge et 60mW au repos à 6W en charge et 75mW au repos, tandis que le X25-E passera de 3W/60mW à 5W/95mW. On peut toutefois espérer qu'une partie de cette augmentation soit due au chiffrement AES-128, et ne concernera donc que ceux qui l'auront activé.
Les X25-M seront déclinés en capacités de 80, 160, 300 et 600 Go, à des prix au Go qui devrait être diminué quasiment de moitié par rapport aux versions actuelles, tandis que le X25-E sera proposé en 100, 200 et 400 Go. Un nouveau X25-V de 40 Go est également au programme. Tous ces SSD devraient arriver sur le marché fin 2010 ou début 2011.
Posté par Matt le 06/10/2010 à 23h54
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Source : PCWorld
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